氮化镓低维纳米结构的制备与表征

山东大学学报(工学版)

氮化镓低维纳米结构的制备与表征

吕　伟，吴莉莉，邹　科，吴佑实

山东大学材料科学与工程学院,山东济南 250061

收稿日期:2006-09-13 修回日期:1900-01-01 出版日期:2007-02-24 发布日期:2007-02-24
通讯作者: 吕　伟

Preparation and characterization of lowdimensional GaN nanostructues

LV Wei, WU Li-li, ZOU Ke, WU You-shi

School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250061, China

Received:2006-09-13 Revised:1900-01-01 Online:2007-02-24 Published:2007-02-24
Contact: LV Wei

摘要/Abstract

摘要： 主要是以氧化镓为原料，通过气相沉积法，制备出GaN纳米线和纳米带.通过X－射线衍射(XRD)，扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析.

关键词: 氮化镓, 低维纳米结构, 表征

Abstract: GaN nanowires and nanobelts were synthesized via the vaporphasedeposition method with GaN as initiating reagents. The products were characterized by XRD, SEM and HRTEM. The influence of different technological parameters to the morphology of GAN was studied. The Raman spectra of GaN nanowires and nanobelts were also analyzed.

Key words: lowdimensional nanostructues, characterization , gallium nitride

中图分类号:

O611

吕　伟,吴莉莉,邹　科,吴佑实 . 氮化镓低维纳米结构的制备与表征[J]. 山东大学学报(工学版), 2007, 37(1): 10-14 .

LV Wei,WU Li-li,ZOU Ke,WU You-shi . Preparation and characterization of lowdimensional GaN nanostructues[J]. JOURNAL OF SHANDONG UNIVERSITY (ENGINEERING SCIENCE), 2007, 37(1): 10-14 .

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